2020年11月6日下午， 中国科学院半导体研究所常凯院士应邀到福建省半导体材料及应用重点实验室指导工作，并做了题为“半导体量子结构中的演生规范场和量子相” 的学术报告。报告由实验室成员吴顺情教授主持，相关师生参加了此次报告会，现场座无虚席。

　　

讲座现场（图1）

 

　　常凯院士是中国科学院半导体研究所、超晶格和微结构国家重点实验室研究员，中科院百人计划入选者、杰出青年基金获得者，中国科学院数理学部院士。长期从事半导体基础物理研究，曾任第17届窄能隙半导体物理会议主席； 2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席，美国J. Appl. Phys./Appl. Phys. Lett.等国际顶级期刊审稿人。常院士指出半导体量子结构不仅具有重要的应用价值，同时也是探索形形色色演生规范场及其相关量子效应的绝佳实验平台，它可以把维度效应（或称纳米结构）、关联效应和能带拓扑性质结合起来，研究由于这些效应相互影响导致的新量子相。在本次报告中，常院士结合其所在的工作讨论在近年来在半导体量子结构中呈现出的形形色色的演生规范场及其诱导的量子效应，例如：自旋轨道耦合效应及其诱导的规范场和自旋霍尔效应；半导体极性界面中的拓扑相；以及半导体量子阱中库仑关联引致的激子绝缘相和拓扑性质诱导的卡西米尔扭矩。同学们听了都有所领悟，感到获益匪浅。

　　

讲座现场（图2）

 

　　报告会接近尾声，老师和同学们都积极提问，不少问题非常值得探讨，得到常院士的肯定。常院士的讲解深入浅出，专业性强，最后在到场老师和同学们的热烈掌声中结束了本次报告。